半导体装置的制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。防止在弯曲加工时的树脂毛刺的掉落。半导体装置的制造方法包含：密封工序（S110），利用树脂对引线框（1）的内部引线进行密封；以及弯曲加工工序（S130），对弯曲对象区域进行弯曲加工，该弯曲对象区域为不对由密封工序产生的树脂毛刺（3）施加由弯曲加工产生的应力的区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法以及半导体装置
本专利技术涉及考虑了树脂毛刺(burr)的半导体装置的制造方法以及半导体装置。
技术介绍
在制造功率半导体的封装时，需要配合封装的设计图进行引线成形(leadforming)(弯曲加工)。在专利文献I以及专利文献2中公开了进行弯曲加工的技术(以下，现有技术A)。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平6 - 232309号公报； 专利文献2:日本特开平6 - 283642号公报。专利技术要解决的课题 然而，在现有技术A中，在未考虑半导体封装的产生树脂毛刺的区域的情况下进行引线成形(弯曲加工)。因此，在现有技术A中存在如下问题:在引线成形时，由于引线的弯曲应力导致容易产生树脂毛刺掉落的现象。掉落的树脂毛刺例如作为生产线内的异物而成为产品、装置故障增大的原因。此夕卜，例如，在树脂毛刺掉落到与散热片(fin)的接合面的情况下，与散热片的紧贴性劣化，散热性降低，产品的可靠性降低。即，在引线成形(弯曲加工)中，树脂毛刺的掉落是大问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决这样的问题而完成的，其目的在于提供一种能防止在弯曲加工时的树脂毛刺掉落的半导体装置的制造方法等。用于解决课题的方案 为了达到上述目的，本专利技术的一个方式的半导体装置的制造方法包含:利用树脂对引线框的内部引线进行密封的工序；以及对弯曲对象区域进行弯曲加工的工序，该弯曲对象区域为被所述引线框包含的端子中的成为弯曲加工的对象的区域并且为不对由所述密封的工序产生的树脂毛刺施加由弯曲加工产生的应力的区域。专利技术效果 本专利技术的半导体装置的制造方法包含:利用树脂对引线框的内部引线进行密封的工序以及对弯曲对象区域进行弯曲加工的工序，该弯曲对象区域为不对由密封的工序产生的树脂毛刺施加由弯曲加工产生的应力的区域。由此，在弯曲加工时不对树脂毛刺施加应力，因此，能防止树脂毛刺掉落。因此，能防止在弯曲加工时的树脂毛刺的掉落。【附图说明】图1是实施方式I的半导体装置的概观图。图2是示出实施方式I的半导体装置的内部构造的图。图3是半导体制造处理的流程图。图4是用于说明弯曲加工的图。图5是用于具体说明弯曲加工的图。图6是示出弯曲加工中的弯曲轴的位置的图。图7是用于说明弯曲加工的图。图8是示出弯曲加工中的弯曲轴的位置的图。图9是示出实施方式2的弯曲加工中的弯曲轴的位置的图。图10是用于说明实施方式3的弯曲加工的图。图11是用于说明凹凸形状的图。图12是用于对作为比较例的半导体装置的制造方法的弯曲加工的问题进行说明的图。【具体实施方式】以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的说明中，对相同的结构要素标注相同的附图标记。它们的名称和功能也相同。因此，存在省略对它们的详细说明的情况。再有，在实施方式中所例示的各结构要素的尺寸、材质、形状、它们的相对配置等根据应用了本专利技术的装置的结构、各种条件来适当地进行变更，本专利技术不限定于这些例示。此外，存在各图中的各结构要素的尺寸与实际尺寸不同的情况。<比较例> 以下，对作为比较例的半导体装置的制造方法进行说明。图12是用于对作为比较例的半导体装置的制造方法的弯曲加工的问题进行说明的图。图12 (a)是表示在进行弯曲加工之前的端子9的状态的图。图12 (b)是表示在进行弯曲加工时的端子9的状态的图。在图12 (a)中，在由密封工序生成的封装8的周围产生树脂毛刺3。因此，当在未考虑产生树脂毛刺3的区域的情况下对端子9进行弯曲加工时，像图12 (b)那样，树脂毛刺3裂开，树脂毛刺3掉落。<实施方式1> 在本实施方式中，解决在上述比较例中叙述的上述问题。图1是实施方式I的半导体装置100的概观图(外形图)。半导体装置100是功率半导体。再有，半导体装置100不限定于功率半导体，也可以是其它用途的半导体。此外，图1示出在进行了后述的密封工序之后并且在进行后述的切断工序之前的半导体装置100的结构。在图1中，X、Y、Z方向的每一个方向相互正交。在以下的图中示出的Χ、Υ、Ζ方向的每一个方向也相互正交。以下，也将包含X方向和该X方向的相反方向(-X方向)的方向称为X轴方向。此夕卜，以下，也将包含Y方向和该Y方向的相反方向(-Y方向)的方向称为Y轴方向。此夕卜，以下，也将包含Z方向和该Z方向的相反方向(-Z方向)的方向称为Z轴方向。如图1所示，半导体装置100包含封装8和引线框I。再有，将封装8内的引线框I称为内部引线。此外，将封装8外的引线框I称为外部引线。封装8的大部分由树脂构成。引线框I包含多个端子9和连接杆(tie bar)2。各端子9在Y轴方向上延伸。连接杆2以连结多个端子9的方式在规定方向(X轴方向)上延伸。即，连接杆2在与各端子9延伸的方向垂直的方向(X轴方向)上延伸，并连接各端子9。也就是说，连接杆2对引线框I所包含的多个端子9进行连接。连接杆2的一部分被端子9包含。在引线框I的一部分附着有树脂毛刺3。图2是示出实施方式I的半导体装置100的内部构造的图。图2示出在进行了后述的密封工序之后并且在进行后述的切断工序之前的半导体装置100的结构。如图2所示，半导体装置100还包含下垫板(die pad) 10和芯片5。芯片5被安装于下垫板10。芯片5的电极焊盘(未图示)和引线框I由导线4电连接。此外，利用焊料6将内部引线7连接于芯片5。内部引线7是引线框I的一部分。利用树脂对下垫板10、导线4、芯片5以及内部引线7进行密封。由此，构成封装8。接着，对半导体装置100的制造方法(以下，也称为半导体制造处理)进行说明。图3是半导体制造处理的流程图。再有，在半导体制造处理中，主要说明在制造半导体的过程中与本专利技术相关的部分的处理，省略对除此以外的一般处理的说明。首先，进行密封工序(S110)。在密封工序中，利用树脂对上述的下垫板10、导线4、芯片5以及内部引线7等进行密封。即，在密封工序中，利用树脂对成为引线框I所包含的多个端子9的连接对象的结构要素(下垫板10、导线4、芯片5等)进行密封。利用树脂以一般的传递模塑(transfer molding)方式进行该密封。由该密封工序形成封装8。此外，像图1那样，在引线框I中的封装8的周围部附着有树脂毛刺3。即，树脂毛刺3与封装8邻接地形成。接着，进行切断工序(S120)。在切断工序中，将存在于各邻接的2个端子9之间的连接杆2切断。由此，各端子9成为包含连接杆2的独立的端子。接着，进行弯曲加工工序(S130)。弯曲加工工序是对引线框I中的弯曲对象区域进行弯曲加工的工序。图4 (a)是在进行了切断工序之后的图1的区域RlO的放大图。此处，弯曲对象区域是图4 (a)的区域Rll内的区域。弯曲对象区域是端子9中的成为弯曲加工的对象的区域并且是不对由上述密封工序所产生的树脂毛刺3施加由弯曲加工产生的应力的区域。图4 (b)是示出对弯曲对象区域进行了弯曲加工的端子9的图。再有，连接杆2延伸的规定方向(X轴方向)与在弯曲加工中使弯曲对象区域弯曲的方向正交。以下，也将存在树脂毛刺3的区域称为树脂毛刺区域X。图4 (a)的区域Rll是在引线框I (端子9)中与树脂毛刺区域X相比位于前端侧的区域。图5是用于具体说明弯曲加工的图。图5 (a)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其中，包含：利用树脂对引线框的内部引线进行密封的工序；以及对弯曲对象区域进行弯曲加工的工序，所述弯曲对象区域为被所述引线框包含的端子中的成为弯曲加工的对象的区域并且为不对由所述密封的工序产生的树脂毛刺施加由弯曲加工产生的应力的区域。

【技术特征摘要】
2012.06.25 JP 2012-1416491.一种半导体装置的制造方法，其中，包含: 利用树脂对引线框的内部引线进行密封的工序；以及 对弯曲对象区域进行弯曲加工的工序，所述弯曲对象区域为被所述引线框包含的端子中的成为弯曲加工的对象的区域并且为不对由所述密封的工序产生的树脂毛刺施加由弯曲加工产生的应力的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中， 所述引线框包含对该引线框所包含的多个所述端子进行连接的连接杆， 所述半导体装置的制造方法还包含将存在于邻接的2个所述端子之间的连接杆切断的工序， 通过所述切断的工序使各所述端子成为包含连接杆的独立的端子。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中， 所述弯曲对象区域为被所述端子包含的所述连接杆内的区域， 将所述连接杆的宽度设定为所述弯曲对象区域中的由所述弯曲加工造成的曲率半径大的外侧弯曲区域不与存在所述树脂毛刺的区域重叠的大小。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中， 所述弯曲加工中的弯曲轴为所述连接杆的宽度方向的中央部。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，` 将所述弯曲加工中的弯曲轴设定在与所述连接杆的宽度方向的中心相比靠近所述端子的前端侧的位置。6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中， 将所述弯曲加工中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本健，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：