半导体元件的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种可简化过程复杂度的。
技术介绍
随着科技的进步，半导体元件的应用越来越广，且使用多种其他元件以实现所欲达成的功能。举例来说，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)元件的半导体存储元件，一般包含有电容器，其为动态随机存取存储器用以储存资料或信息的元件。动态随机存取存储器依其电容器的结构主要可以分成两种形式，其一为具有堆叠式电容器(stack capacitor)的动态随机存取存储器,另一则为具有深沟渠式电容器(deeptrench capacitor)的动态随机存取存储器。另外，电容器依其用于形成电极以及介电层的材料的类型可具有不同组态，包括金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,M0S)电容器、PN接合电容器、多晶娃绝缘体多晶娃(polysilicon-1nsulator-polysilicon, PIP)电容器，以及金属绝缘体金属(metal-1nsulator-metal, MIM)电容器。为了简化过程上的步骤，并降低过程成...
【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，具有第一区及第二区；在该基底上形成第一图案化罩幕层，其中该第一图案化罩幕层在该第一区中具有至少一第一开口且在该第二区中具有至少一第二开口，该第一开口小于该第二开口；以该第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分该基底，以在该第一区的该基底中形成至少一第一沟渠，且同时在该第二区的该基底中形成至少一第二沟渠，其中该第一沟渠的宽度小于该第二沟渠的宽度，且该第一沟渠的深度小于该第二沟渠的深度；移除该第一图案化罩幕层；在该第一沟渠上及该第二沟渠上形成第一介电层；以及在位于该第一沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上及位于该第二沟渠的至少部分侧...
【技术特征摘要】
2012.06.15 US 13/523,9121.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括: 提供基底，具有第一区及第二区； 在该基底上形成第一图案化罩幕层，其中该第一图案化罩幕层在该第一区中具有至少一第一开口且在该第二区中具有至少一第二开口，该第一开口小于该第二开口 ； 以该第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分该基底，以在该第一区的该基底中形成至少一第一沟渠，且同时在该第二区的该基底中形成至少一第二沟渠，其中该第一沟渠的宽度小于该第二沟渠的宽度，且该第一沟渠的深度小于该第二沟渠的深度； 移除该第一图案化罩幕层； 在该第一沟渠上及该第二沟渠上形成第一介电层；以及 在位于该第一沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上及位于该第二沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上形成导体层。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该第一介电层的材料包括高介电常数材料。3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括: 第一导体层，填满部分该第一沟渠；以及 第二导体层，填满部分该第二沟渠。4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括:` 形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的导体材料层；以及 移除该第一沟渠以外与该第二沟渠以外的导体材料层，且移除该第一沟渠中与该第二沟渠中的部分该导体材料层。5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括在该第一沟渠中且在该第二沟渠中形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的第二介电层。6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括: 第一导体层，填满部分该第一沟渠；以及 第二导体层，填满该第二沟渠并延伸至该第二沟渠两侧的该基底上方。7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括: 形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的导体材料层； 形成第二图案化罩幕层，该第二图案化罩幕层覆盖该第二区的该导体材料层；以及以该第二图案化罩幕层为罩幕，移除该第一沟渠以外的该导体材料层，且移除该第一沟渠中的部分该导体材料层。8.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴铁将，廖伟明，黄瑞成，聂鑫誉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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