半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

现有的DRAM为了保持数据而需要每隔几十毫秒进行刷新工作，因此导致耗电量的增大。此外，由于频繁地切换晶体管的导通状态和截止状态，晶体管的劣化成为问题。上述问题随着存储容量增大和晶体管微型化的进展而变得明显。提供一种晶体管，该晶体管包含氧化物半导体并具有用于栅电极的沟槽及用于元件隔离的沟槽的沟槽结构。即使将源电极与漏电极之间的距离设定得较窄，通过适当地设定用于栅电极的沟槽的深度，可以抑制短沟道效应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，乡户宏充，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
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