半导体器件制造技术

本发明专利技术的目的之一在于提供一种具有即使没有电力供给也能够保持存储数据数据且对写入周期的数量也没有限制的新颖结构的半导体器件。该半导体器件包括具有第一晶体管、第二晶体管以及置于第一晶体管的源区或漏区与第二晶体管的沟道形成区之间的绝缘层的存储单元。第一晶体管与第二晶体管设置成彼此至少部分重叠。绝缘层与第二晶体管的栅极绝缘层满足公式（（ta/tb）×（εrb/εra）＜0.1，其中，ta表示栅极绝缘层的厚度，tb表示绝缘层的厚度，εra表示栅极绝缘层的介电常数，并且εrb表示绝缘层的介电常数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种利用半导体元件的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
利用半导体元件的存储器件可以粗分为如果没有电力供给存储数据就丢失的易失性存储器件和即使没有电力供给也保持存储数据的非易失性存储器件。易失性存储器件的典型例子是DRAM (动态随机存取存储器)。DRAM以选择存储元件所包括的晶体管并将电荷储存在电容器中的方式来储存信息。当从DRAM读取数据时电容器中的电荷丢失；由此，每次读出数据时都需要另一个 写入操作。另外，因为存储元件中包括的晶体管在截止状态下具有源极和漏极之间的泄漏电流(即截止状态电流)等，所以即使晶体管尚未被选择电荷也会流出或流入电容器，由此数据的保持期间较短。为此，需要按预定的间隔进行另一写入操作(刷新操作)，由此，难以充分降低功耗。另外，因为如果没有电力供给存储数据就丢失，所以需要利用磁性材料或光学材料的附加存储器件以便于长时间地保持数据。易失性存储器件的另一个例子是SRAM (静态随机存取存储器)。SRAM通过使用诸如触发器等的电路保持存储数据，而不需要进行刷新操作。这意味着SRAM具有优于DRAM的优点。但是，因为使用诸如触发器等的电路，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.16 JP 2010-1621841.一种半导体器件，包括存储单元,包括第一晶体管，包括第一沟道形成区；所述第一沟道形成区上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一沟道形成区重置；以及源区及漏区，其中所述第一沟道形成区夹在所述源区和所述漏区之间；第二晶体管包括第二沟道形成区；与所述第二沟道形成区电连接的源电极及漏电极；所述第二沟道形成区上的第二栅电极；以及所述第二沟道形成区和所述第二栅电极之间的第二栅极绝缘层；以及所述源区和所述漏区之一与所述第二沟道形成区之间的绝缘层，其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管彼此至少部分重叠，并且，所述第二栅极绝缘层和所述绝缘层满足公式.k 上!:1l. < O I/ e b ra其中，ta表示所述第二栅极绝缘层的厚度，tb表示所述绝缘层的厚度，ε 表示所述第二栅极绝缘层的介电常数，并且ε ^表示所述绝缘层的介电常数。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源电极和所述漏电极之一与所述第一栅电极电连接。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，由所述源电极和所述漏电极之一以及所述第二栅极绝缘层、导电层构成电容器。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟道形成区包括第一半导体材料，所述第二沟道形成区包括第二半导体材料，并且，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料彼此不同。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二沟道形成区包括氧化物半导体。6.一种半导体器件，包括；存储单元,包括第一晶体管，包括第一沟道形成区；所述第一沟道形成区上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一沟道形成区重置；以及源区及漏区，其中所述第一沟道形成区夹在所述源区和漏区之间；第二晶体管包括第二沟道形成区；与所述第二沟道形成区电连接的源电极及漏电极；所述第二沟道形成区上的第二栅电极；以及所述第二沟道形成区和所述第二栅电极之间的第二栅极绝缘层；以及所述源区和所述漏区之一与所述第二沟道形成区之间的绝缘层，其中，所述第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，加藤清，长塚修平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：