位线结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种位线结构，包括：半导体基材，具有瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含第一沟槽及扩大的第二沟槽，且其中此第一及此第二沟槽各自具有相互面对的第一侧壁及第二侧壁；第一绝缘层，内衬于此瓶状沟槽中；第二绝缘层，覆盖第二沟槽中的第一绝缘层，其中第一侧壁具有一暴露部分未被第一及第二绝缘层覆盖，且第一侧壁上的第一绝缘层具有一暴露部分未被第二绝缘层覆盖，且其中第一侧壁的暴露部分靠近第一沟槽的底部且介于其与第一绝缘层的暴露部分之间；一金属线，位于第二绝缘层中；一位线接触物，位于金属线上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体装置，且特别是有关于一种动态随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
目前，在堆迭式(stack)动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, 以下简称DRAM)中，晶体管的主动区形成于单晶的半导体基材中。电容设置于主动区的顶部。位线及字线埋在半导体基材中，每条位线字线与晶体管的主动区电性连接，并藉由位线及字线控制储存电容中电荷的变化。然而,堆迭式DRAM的埋藏位线(buried bit line, BL)会由于工艺尺寸不断微缩而使得不同的埋藏位线之间的位线-位线寄生电容(BL-BL capacitance)问题日趋严重。 此外，在堆迭式DRAM中，亦会产生浮体效应(floating body effect),其是由于位线、字线及夹设于其间的主动区会形成双极性晶体管，因而当为位线及/或字线信号改变时，即会打开此双极性晶体管而造成电容中储存的电荷漏出。因此，目前已发展多种埋藏式位线的形成方法，希望解决上述问题。例如，US Application 2010/0090348提供了在沟槽的单边侧壁上形成开口的方法，使位线可仅透过单边侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位线结构的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：提供一半导体基材；形成一瓶状沟槽于所述半导体基材中，其中所述瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中所述第一及所述第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述第一及所述第二沟槽的所述第一侧壁皆位于所述瓶状沟槽的同一侧；形成一第一绝缘层顺应性覆盖所述瓶状沟槽中；沉积一第二绝缘层于所述第二沟槽中；形成一金属线于所述第二绝缘层中；形成一具有一单边凹槽的第一接触物于所述金属线上，其中所述单边凹槽暴露出所述第二绝缘层的靠近所述第一侧壁的一顶部部分；以一湿刻蚀工艺自所述单边凹槽刻蚀所述第二绝缘层的所述靠近所述第一侧壁的所述顶部部分及...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭泽绵，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：