掩模型只读存储器的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种掩模型只读存储器的制造方法，包括下列步骤，首先于一基材上依序形成一栅极介电层及一第一光阻层，接着利用一波长为365纳米的光线透过一第一相位移掩模于该第一光阻层上形成宽度介于243纳米至365纳米的多个第一沟道，以对该基材进行掺杂形成多条宽度介于243纳米至365纳米的埋入位线，然后移除该第一光阻层于该栅极介电层上依序形成一多晶硅层及一第二光阻层，最后再以该光线透过一第二相位移掩模，以光刻蚀刻的过程于该多晶硅层形成多条多晶硅字线。据此，使掩模型只读存储器的线宽微缩到243纳米至365纳米之间，有效缩减存储器面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种掩模型只读存储器，尤指一种。
技术介绍
存储器大致上可以区分为两类,一种是只读存储器(Read-Only Memory, ROM),另一种是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，而只读存储器与随机存取存储器最大的差别就在于只读存储器在不通电之下，还能保有所储存的数据，随机存取存储器一但不通电数据则随之消失。只读存储器可再细分为掩模型只读存储器(Mask ROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦可编程序只读存储器(EEPROM)及闪存(Flash Memory)，其中掩模型只读存储器如美国专利公告第5514610号中所述，于集成电路制造过程中以高能量离子编程数据，其数据内容在制造后就不能更改，只能读不能写，因此大多用于内容固定不变的产品，例如电脑或嵌入式设备中的开机启动，字形表，电子游戏机程序与卡带等，并具有单位存储器制造成本最低的优势。常用的掩模型只读存储器为利用通道晶体管当作记忆单元，通过改变阈值电压 (Threshold Voltage)来控制记忆单元导通或是关闭，并以字线(Word Line,WL)横跨在位线(Bit本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模型只读存储器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1：在一基材(10)上形成一栅极介电层(20)及一设于所述栅极介电层(20)上的第一光阻层(30)；步骤2：使一波长为365纳米的光线(40)透过一第一相位移掩模(50)，利用光刻过程于所述第一光阻层(30)上形成多条宽度介于243内米至365内米之间且暴露部分所述栅极介电层(20)的第一沟道(31)；步骤3：对所述基材(10)进行掺杂使所述基材(10)形成多条对应所述第一沟道(31)的埋入位线(11)；步骤4：移除所述第一光阻层(30)；步骤5：于所述栅极介电层(20)上形成一多晶硅层(60)及一形成于所述多晶硅层(60)上的第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旷举，陈正道，许忠龙，邱俊尧，张金勇，
申请(专利权)人：九齐科技股份有限公司，新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：