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本发明涉及一种掩模型只读存储器的制造方法，包括下列步骤，首先于一基材上依序形成一栅极介电层及一第一光阻层，接着利用一波长为365纳米的光线透过一第一相位移掩模于该第一光阻层上形成宽度介于243纳米至365纳米的多个第一沟道，以对该基材进行掺...该专利属于九齐科技股份有限公司;新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过九齐科技股份有限公司;新唐科技股份有限公司授权不得商用。