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现有的DRAM为了保持数据而需要每隔几十毫秒进行刷新工作，因此导致耗电量的增大。此外，由于频繁地切换晶体管的导通状态和截止状态，晶体管的劣化成为问题。上述问题随着存储容量增大和晶体管微型化的进展而变得明显。提供一种晶体管，该晶体管包含氧化物...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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