浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形有第一氧化层和第一掩膜层，以及浅沟槽隔离槽；去除第一掩膜层，并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层，并在第二氧化层上沉积第二掩膜层；在第二掩膜层上沉积第三氧化层，并利用第三氧化层将所述浅沟槽隔离槽填满；回刻第三氧化层和第二掩膜层，直到将处于所述浅沟槽隔离槽以外的第二掩膜层去除；去除浅沟槽隔离槽以外的第二氧化层。本发明专利技术中，由于第二掩膜层的存在，保护了有源区（P阱和N阱）边缘和无源区（浅沟槽隔离）边缘部分，避免了该部分凹槽的产生，进而使得该处漏电得到了有效的控制，提升了半导体器件尤其是窄沟道半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一氧化层和第一掩膜层，对所述第一掩膜层、第一氧化层以及部分衬底进行刻蚀形成浅沟槽隔离槽；去除所述第一掩膜层，并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层上沉积第二掩膜层；在所述第二掩膜层上沉积第三氧化层，并利用所述第三氧化层将所述浅沟槽隔离槽填满；回刻所述第三氧化层和第二掩膜层，直到将处于所述浅沟槽隔离槽以外的第二掩膜层去除，并保留处于所述浅沟槽隔离槽中的第三氧化层和第二掩膜层；去除浅沟槽隔离槽以外的第二氧化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：