超薄绝缘体上硅结构的制作方法、半导体器件的制作方法技术

一种超薄绝缘体上硅结构的制作方法及半导体器件的制作方法。所述半导体器件的制作方法包括：提供绝缘体上硅；在顶硅层上形成硬掩模层，对硬掩模层进行图案化处理；测量暴露的顶硅层每个区域的实际厚度；在暴露的顶硅层中注入掺杂离子，掺杂离子的注入剂量与注入区域对应的实际厚度相关；进行刻蚀处理，去除部分暴露的顶硅层，形成沟槽；在沟槽的侧壁形成侧墙，且在侧墙围成的区域中形成栅极结构；进行平坦化处理，使栅极结构的上表面与硬掩模层的上表面齐平；去除硬掩模层；在暴露的顶硅层中进行离子注入，形成抬高的源/漏区。本发明专利技术可以精确控制超薄SOI结构中顶硅层的厚度和均匀性，避免顶硅层受到损害。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超薄绝缘体上硅结构的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅依次包括：衬底、绝缘层和顶硅层；将所述顶硅层上表面划分为多个区域，测量每个区域对应的实际厚度；在所述顶硅层中注入掺杂离子，所述掺杂离子的注入剂量与所述各区域对应的实际厚度相关；进行刻蚀处理，去除部分顶硅层，形成超薄SOI。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：