【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法，其特征在于，包括：提供包含感光区和逻辑区的衬底，在所述衬底上依次形成硬掩膜层、无定形碳层、第一光刻胶层，所述第一光刻胶层在所述逻辑区形成有深STI图案；以所述第一光刻胶层、无定形碳层和硬掩膜层为掩膜，进行逻辑区深STI刻蚀，在所述逻辑区形成深浅沟道隔离槽；在形成深浅沟道隔离槽的器件表面形成有机绝缘层，所述有机绝缘层填满所述深浅沟道隔离槽并覆盖所述器件表面；在所述有机绝缘层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层在所述感光区形成有浅STI图案；以所述第二光刻胶层和有机绝缘层为掩膜，进行感光区浅STI刻蚀，在所述感光区形成浅浅沟道隔离槽；去除所述深浅沟道隔离槽中填充的有机绝缘层，重新暴露出所述深浅沟道隔离槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨渝书，秦伟，黄海辉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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