温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种超薄绝缘体上硅结构的制作方法及半导体器件的制作方法。所述半导体器件的制作方法包括：提供绝缘体上硅；在顶硅层上形成硬掩模层，对硬掩模层进行图案化处理；测量暴露的顶硅层每个区域的实际厚度；在暴露的顶硅层中注入掺杂离子，掺杂离子的注入剂量与注...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。