一种沟槽隔离方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽隔离方法，包括：单晶硅上第一次刻蚀沟槽；进行侧墙介质膜生长；侧墙介质膜回刻蚀，去除部分侧墙介质膜，使沟槽形成上口宽度大，下口宽度小的倾斜结构；在沟槽底部进行第二次刻蚀沟槽；沟槽内介质膜生长；硅片表面介质膜化学机械研磨。本发明专利技术的沟槽隔离方法，采用至少两次刻蚀的工艺，能使填充过程中形成的沟槽内介质膜空洞位置远离器件表面的沟槽隔离方法，能避免器件后续生产工艺中介质膜内空洞被打开造成其他化学残留物质进入沟槽内的情况。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种沟槽隔离方法，其特征是，包括：(1)单晶硅上第一次刻蚀沟槽；(2)进行侧墙介质膜生长；(3)侧墙介质膜回刻蚀，去除部分侧墙介质膜，使沟槽形成上口宽度大，下口宽度小的倾斜结构；(4)在沟槽底部进行第二次刻蚀沟槽；(5)沟槽内介质膜生长；(6)硅片表面介质膜化学机械研磨。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丛茂杰，康志潇，陈正嵘，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：