【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·A·卡米洛卡斯蒂罗，J·S·邓恩，D·L·哈拉梅，A·K·斯塔珀，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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