【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述衬底的上表面；在所述第一介质层上形成不包含氧的第二介质层，所述第二介质层填充满浅沟槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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