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本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形有第一氧化层和第一掩膜层，以及浅沟槽隔离槽；去除第一掩膜层，并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层，并在第二氧化层上沉积第二掩膜层；在第二掩膜层上沉积第三...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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