一种高压半导体器件及其制作方法技术

公开了一种高压半导体器件及其制作方法。所述高压半导体器件包括外延层、第一低压阱、第二低压阱、高压阱、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、场氧和栅极区。所述高压半导体器件减少了工艺制作的层数，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高压半导体器件，包括：具有第二掺杂类型的外延层；形成在外延层内的第一低压阱，所述第一低压阱具有第二掺杂类型；形成在外延层内的第二低压阱，所述第二低压阱具有第一掺杂类型；形成在外延层内的高压阱，所述高压阱具有第一掺杂类型，其中所述第二低压阱被所述高压阱围绕；形成在第一低压阱内的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第一掺杂类型，其中第三重掺杂区毗邻所述第二重掺杂区；形成在外延层内的场氧，所述场氧具有浅沟道隔离结构；以及形成在外延层上的栅极区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉扬永，张磊，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：