【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场效应半导体器件，包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体主体，该半导体器件在垂直截面中进一步包括：??垂直沟槽，其从第一表面延伸到半导体主体中并且包括场电极、至少部分地被场电极包围的腔体以及基本上包围至少该场电极的绝缘结构。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J鲍姆加特尔，O布兰克，F希尔勒，M胡茨勒，A毛德，S泽尔德迈尔，R西米尼克，M聪德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。