温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及应力降低的场效应半导体器件和用于形成该器件的方法。提供了一种场效应半导体器件。该场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体主体。在垂直截面中，该场效应半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体主体中的垂直沟槽。该垂直沟...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。