【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体主体；功率晶体管，其设置在半导体主体的第一器件区中并且包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及另外的半导体器件，其设置在半导体主体的第二器件区中，该第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构，所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F希尔勒，P伊尔西希勒，A维尔梅罗特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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