半导体器件制造技术

本发明专利技术的实施例涉及一种半导体器件。本发明专利技术提供一种设计成防止电场集中于槽部附近的半导体器件。该半导体器件包括半导体层、源极区域、漏极区域、源极偏移区域、漏极偏移区域、槽部、栅极绝缘膜、栅极电极和嵌入区域。在平面图中在从源极偏移区域到漏极偏移区域的方向上，在平面图中在半导体层中的源极偏移区域与漏极偏移区域之间的至少一个位置提供槽部。栅极绝缘膜覆盖槽部的侧部和底部。在平面图中仅在槽部内提供栅极电极并且栅极电极接触栅极绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层；在所述半导体层中相互分离地提供的、第一传导性类型的源极区域和漏极区域；所述第一传导性类型的源极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述源极区域；所述第一传导性类型的漏极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述漏极区域而从所述源极偏移区域分离；在平面图中的从所述源极偏移区域到所述漏极偏移区域的方向上，在平面图中在所述半导体层中的所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间的至少一个位置提供的槽部；栅极绝缘膜，覆盖所述槽部的侧部和底部；在平面图中仅在所述槽部内提供并且接触所述栅极绝缘膜的栅极电极；以及与所述第一传导性类型相反的第二传导性类型的嵌入区域，位于比所述源极区域和所述漏极区域更深处。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松本弘毅，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
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