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本发明的实施例涉及一种半导体器件。本发明提供一种设计成防止电场集中于槽部附近的半导体器件。该半导体器件包括半导体层、源极区域、漏极区域、源极偏移区域、漏极偏移区域、槽部、栅极绝缘膜、栅极电极和嵌入区域。在平面图中在从源极偏移区域到漏极偏移区...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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