用于FinFET器件的鳍结构制造技术

技术编号:9277998 阅读:82 留言:0更新日期:2013-10-25 00:00
提供一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构。器件包括:衬底、设置在衬底上的第一半导体材料、设置在衬底上方并且形成在第一半导体材料的相对两侧的浅沟槽隔离(STI)区、以及形成在STI区上设置的第一鳍和第二鳍的第二半导体材料,第一鳍与第二鳍间隔第一半导体材料的宽度。鳍结构可以用于通过形成在第一鳍、在第一鳍和第二鳍之间设置的第一半导体材料的顶面、以及第二鳍上方形成的栅极层来生成FinFET器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构,包括:衬底;第一半导体材料,设置在所述衬底上;浅沟槽隔离(STI)区,设置在所述衬底上方并形成在所述第一半导体材料的相对侧上;以及第二半导体材料,形成在所述STI区上设置的第一鳍和第二鳍,所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:乔治斯·威廉提斯马克·范·达尔布兰丁·迪里耶查理德·奥克斯兰德
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1