【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构,包括:衬底;第一半导体材料,设置在所述衬底上;浅沟槽隔离(STI)区,设置在所述衬底上方并形成在所述第一半导体材料的相对侧上;以及第二半导体材料,形成在所述STI区上设置的第一鳍和第二鳍,所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔治斯·威廉提斯,马克·范·达尔,布兰丁·迪里耶,查理德·奥克斯兰德,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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