【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成在半导体衬底上的顶部漏极横向扩散金属氧化物场效应半导体TD?LDMOS器件，包括：?一个源极电极，设置在半导体衬底的底面上；一个源极区和一个漏极区，设置在半导体衬底的顶面上的平面栅极的两个对边上，其中源极区包围在本体区中，本体区在平面栅极下方的源极区和漏极区之间，作为横向电流通道；以及至少一个沟槽用导电材料填充，并且从半导体衬底的顶面附近的本体区开始垂直向下延伸，与设置在半导体衬底底面上的源极电极电接触。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雪克·玛力卡勒强斯瓦密，陈军，胡永中，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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