【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个形成在衬底上的第二导电类型的漂流漏极区，第二导电类型与第一导电类型相反；一个源极区、一个本体区以及一个形成在漂流漏极区的漏极接触拾取区，其中本体区为第一导电类型，源极区为第二导电类型，但掺杂浓度比漂流漏极区更重，漏极接触拾取区为第二导电类型；一个本体拾取区，形成在本体区上，横向靠近源极区，其中本体拾取区为第一导电类型，但掺杂浓度比本体区更重；一个有源通道，形成在本体区中，本体区和漂流漏极区之间有一个结，有源通道就形成在源极区和这个结之间；一个积累区，形成在结和漏极接触拾取区之间的漂...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秀明土子，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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