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本发明涉及一种横向双-扩散金属-氧化物-半导体晶体管器件，包括一个增益注入区，形成在本体和漂流漏极区之间的P-N结附近的那部分积累区中。增益注入区包括导电类型与漂流漏极区相同的附加掺杂物。在增益注入区和P-N结之间有一个缝隙。...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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