【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种电子电路，更具体地说，尤其涉及一种用于n型功率晶体管的驱动电路。
技术介绍
1、n型功率晶体管的驱动电路具有耦接于n型功率晶体管的漏端的输入电压引脚和耦接于n型功率晶体管的源端的输出电压引脚。该驱动电路还包括驱动引脚，用于提供驱动信号给n型功率晶体管的栅端以控制n型功率晶体管。所述驱动电路还包括自举引脚以及自举电容，其中自举电容耦接在输出电压引脚和自举引脚之间，用于改变驱动信号的电平。对于驱动电路来说，当n型功率晶体管应用于桥臂电路的高侧时，在n型功率晶体管导通时，输出电压引脚的输出电压等于输入电压引脚的电压；当n型功率晶体管关断时，输出电压引脚的输出电压可能会被拉到较低的负电压值(即，绝对值较大的负电压值)。在一些应用中，输出电压引脚的输出电压可能会低至-100v左右。由于自举电容的耦合效应，自举引脚的电压可能会跟随输出电压引脚的输出电压达到-100v。因此，驱动电路中耦接于自举引脚的内部电路的工作电压可高至输入电压vin或低至-100v，这要求内部电路应具有大于vin+100v的击穿电压。然而，内部电路的高击穿电压要求会提高驱动电路的成本。
2、因此，需要提供一种具有低击穿电压要求的驱动电路用于驱动n型功率晶体管。
技术实现思路
1、为解决上述问题，提出了一种用于控制功率晶体管的驱动电路，该驱动电路将输出电压引脚与自举引脚隔离开，防止自举引脚的电压被拉到较低的负电压值，因此本专利技术的驱动电路的内部电路无需满足高击穿电压要求，电路成本较低。
2、根据本专利技术的实施例，提出了一种用于控制功率晶体管的驱动电路，包括：驱动引脚，配置为提供驱动信号以控制功率晶体管；输出电压引脚，配置为提供输出电压；隔离引脚；以及负电压隔离电路，耦接在隔离引脚和输出电压引脚之间；其中当输出电压引脚的输出电压大于隔离基准电压时，隔离引脚的电压等于输出电压；以及当输出电压引脚的输出电压小于隔离基准电压时，隔离引脚的电压被箝位至预设电压值。
3、在一个实施例中，所述预设电压值的范围为-2v至-0.2v。
4、根据本专利技术实施例，提出了一种开关电路，包括前述驱动电路，还包括：功率晶体管，具有源端、漏端和栅端；其中所述源端耦接于驱动电路的输出电压引脚；所述漏端耦接于驱动电路的输入电压引脚；以及所述栅端耦接于驱动电路的驱动引脚，用于接收驱动引脚提供的驱动信号。
5、根据本专利技术的实施例，还提出了一种用于功率晶体管的驱动电路的控制方法，所述驱动电路包括控制引脚、自举引脚、驱动引脚和输出电压引脚，所述控制方法包括：基于输出电压引脚的输出电压控制隔离引脚的电压，其中所述隔离引脚通过自举电容耦接至自举引脚；其中当输出电压引脚的输出电压大于隔离基准电压时，隔离引脚的电压等于输出电压；以及当输出电压引脚的输出电压小于隔离基准电压时，隔离引脚的电压被箝位至预设电压值。
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1.一种用于控制功率晶体管的驱动电路，包括：
2.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述预设电压值的范围为-2V至-0.2V。
3.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述隔离基准电压的范围为0V至2V。
4.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述负电压隔离电路包括：
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中隔离器件包括P型场效应晶体管。
6.如权利要求5所述的驱动电路，其中负电压隔离电路还包括：
7.如权利要求6所述的驱动电路，其中下拉晶体管为N型场效应晶体管。
8.如权利要求1所述的驱动电路，还包括：
9.如权利要求1所述的驱动电路，还包括：
10.一种开关电路，包括如权利要求1～9任一项所述的驱动电路，还包括：
11.如权利要求10所述的开关电路，还包括耦接在自举引脚和隔离引脚之间的自举电容。
12.一种用于功率晶体管的驱动电路的控制方法，所述驱动电路包括控制引脚、自举引脚、驱动引脚和输出电压引脚，所述控制方法包括：
13.如权利要求12所述的
14.如权利要求12所述的控制方法，其中所述隔离基准电压的范围为0V至2V。
15.如权利要求12所述的控制方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于控制功率晶体管的驱动电路，包括：
2.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述预设电压值的范围为-2v至-0.2v。
3.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述隔离基准电压的范围为0v至2v。
4.如权利要求1所述的驱动电路，其中所述负电压隔离电路包括：
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中隔离器件包括p型场效应晶体管。
6.如权利要求5所述的驱动电路，其中负电压隔离电路还包括：
7.如权利要求6所述的驱动电路，其中下拉晶体管为n型场效应晶体管。
8.如权利要求1所述的驱动电路，还包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：张志其，杨志江，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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