温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种高压半导体器件及其制作方法。所述高压半导体器件包括外延层、第一低压阱、第二低压阱、高压阱、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、场氧和栅极区。所述高压半导体器件减少了工艺制作的层数，降低了成本。...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。