IGBT芯片键合方法技术

本发明专利技术提供一种IGBT芯片键合方法，采用键合机将IBGT芯片与300μm铝导线键合，键合时所述键合机的输出键合力在2.94-3.92N、输出的键合功率在35-45W。上述方案中，选用了低于现有键合过程中采用的键合力及键合功率参数，减小了在键合机下落过程中或键合过程对IGBT芯片造成物理性伤害，降低了IGBT芯片出现软特性甚至造成IGBT芯片损坏的概率，同时，提高了键合质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种IGBT芯片键合方法，采用键合机将IBGT芯片与300μm铝导线键合，其特征在于，键合时控制所述键合机的输出键合力在2.94?3.92N、输出的键合功率在35?45W。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁杰，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：