一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法技术

本发明专利技术揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明专利技术中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过109A/cm2的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明专利技术具有操作简单，兼容半导体工艺。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作碳纳米管柔性微凸点的方法，该方法包括以下步骤：1)制作半导体基底接触焊盘;2)制作致密化的碳纳米管束，其特征在于，对在金属薄膜（B201）上生长的垂直碳纳米管束阵列（B301）进行致密化处理；3)将碳纳米管束转移到半导体基底上，其特征在于，在移除碳纳米管束阵列的生长基底(B100)后再次对碳纳米管束阵列进行致密化处理，完成碳纳米管束转移和碳纳米管柔性凸点的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴风伟，曹立强，周静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：