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本发明提供一种IGBT芯片键合方法，采用键合机将IBGT芯片与300μm铝导线键合，键合时所述键合机的输出键合力在2.94-3.92N、输出的键合功率在35-45W。上述方案中，选用了低于现有键合过程中采用的键合力及键合功率参数，减小了在键...
该专利属于西安永电电气有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安永电电气有限责任公司授权不得商用。

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