具有拥有低于主体区域的带隙的带隙的连接区域的存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器装置，其展示为包含主体区域及连接区域，所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作，且在升压操作期间使电荷容纳在所述主体区域中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，李健，钱德拉·穆利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：