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具有拥有低于主体区域的带隙的带隙的连接区域的存储器装置制造方法及图纸
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下载具有拥有低于主体区域的带隙的带隙的连接区域的存储器装置的技术资料
文档序号:9226411
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本发明涉及存储器装置,其展示为包含主体区域及连接区域,所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作,且在升压...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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