【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构，所述屏蔽插入机构包括：插入机构介质层；所述插入机构介质层内的硅通孔（TSV）；通过所述TSV连接到固定电位上的电磁屏蔽物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑帕施·K·V·卡里卡兰，胡坤忠，赵子群，雷佐尔·拉赫曼·卡恩，彼得·沃伦坎普，陈向东，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：
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