【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种带有EBG的屏蔽结构的TSV转接板或TGV转接板，其特征在于，包括：TSV或TGV转接板，以及带有所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李君，万里兮，郭学平，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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