【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的金属线，该金属线包括金属原子，金属线的顶部表面的部分具有接触区域；以及设置在接触区域上的保护层，该保护层包括所述金属原子，该保护层是与金属线不同的材料。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：R恩格尔，S亨内克，N迈斯，D梅因霍尔德，HJ蒂默，N乌班斯基，A瓦特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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