【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光器件的制造方法,更具体地为一种剥离金电极上钝化保护层的方法。
技术介绍
固态发光器件的发光二极管具有低能耗,高寿命,稳定性好,体积小,响应速度快以及发光波长稳定等良好光电特性,被广泛应用于照明、家电、显示屏及指示灯等领域。此类型发光器件在光效、使用寿命等方面均已有可观的进步,有希望成为新一代照明及发光器件主流。当光从光密介质射向光疏介质时,折射角大于某一数值时,光不再产生折射,而是发生全反射。为了降低全反射,可以通过降低折射率的差异,从而降低全反射。二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。二氧化硅薄膜的折射率在1.4~1.6之间,常常用于发光二极管的光学保护薄膜。在常规的发光二极管芯片制作中,二氧化硅光学钝化膜的制作都会通过黄光光刻以及化学蚀刻,但是由于二氧化硅与金电极的粘附性比较差,直接剥离存在剥离不干净,图形不完整等问题。
技术实现思路
本专利技术旨在提出一种制作发光二极管光学钝化保护层的方法,适用于金电极的发光二极管。为了确保剥离图形的完整性,制作金电极时,其高度比透明导电层或者金属反射层高出500?~50000?,生长完钝化保护层薄膜后,通过高温制程,使得金电极变硬,在粘附性的差异基础上,藉由膨胀系数的差异,以及电极高度差和薄膜应力的存在,金电极上钝化保护层薄膜会发生破裂或者脱落到金电极边缘,再采用超声振荡,将进一步加速脱落过程,然后利用带胶的有机膜剥离脱落的钝化保护层。进一步地,为了改善钝化保护层薄膜破裂至电极边缘处,金电极可做成 ...
【技术保护点】
一种制作发光二极管钝化保护层的方法,包括步骤:提供一衬底;在衬底上制作发光外延叠层,从下至上依次包括:N型半导体层、发光层和P型半导体层;从部分P型半导体层往下蚀刻,直至裸露出部分N型半导体层;在P型半导体层上制作导电层;分别在导电层和N型半导体层上制作P型金电极和N型金电极;在金电极和裸露的导电层、N型半导体层上制作钝化保护层;进行高温制程,使软金硬化,从而使得钝化保护层在金电极交接面破裂;采用超声振荡,使金电极上的钝化保护层进一步破裂并脱落;采用带胶的有机膜将金电极上的钝化保护层剥离。
【技术特征摘要】
1.一种制作发光二极管钝化保护层的方法,包括步骤:
提供一衬底;
在衬底上制作发光外延叠层,从下至上依次包括:N型半导体层、发光层和P型半导体层;
从部分P型半导体层往下蚀刻,直至裸露出部分N型半导体层;
在P型半导体层上制作导电层;
分别在导电层和N型半导体层上制作P型金电极和N型金电极;
在金电极和裸露的导电层、N型半导体层上制作钝化保护层;
进行高温制程,使软金硬化,从而使得钝化保护层在金电极交接面破裂;
采用超声振荡,使金电极上的钝化保护层进一步破裂并脱落;
采用带胶的有机膜将金电极上的钝化保护层剥离。
2.根据权利要求1所述的一种制作发光二极管钝化保护层的方法,其特征在于:P型金电极高度高于导电层,高度差为500?~50000?。
3.根据权利要求1所述的一种制作发光二极管钝化保护层的方法,其特征在于:金电极的形状为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的一种制作发光二极管钝化保护层的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟志白,卓佳利,郑建森,时军朋,徐宸科,
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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