【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法。
技术介绍
由于发光二极管具有节能、环保，寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。目前，传统的发光二极管皆须以直流电作为驱动，因此在使用一般交流电作为电源供应的同时，必须附带整流变压器进行AC/DC转换。而应用上一直强调LED省电的特性， 但在AC/DC转换的过程中，其实有高达15-30%的电力耗损，使用上依旧不具效率；直流驱动的LED产品需要与整流器一并使用，其寿命只有2万小时，但直流电驱动的LED产品的寿命却长达5-10万小时。因此，直流驱动的LED产品“一生”便需要多次更换整流器，若应用于固定照明装置上必定造成不便。高电压交直流发光二极管无需额外的变压器、整流器或驱动电路，交流电网的交流电就可直接对其进行驱动，显著降低电路成本，也避免了电源变换过程中损失的能耗，属于集成化封装，节省成本。在照明灯具设计上，体积及重量都能较一般传统的发光二极管更具优势。另外，若多个LED发光单元串联连接，则每个发光单元通过的电流大小相同，倒装高电压交直...
【技术保护点】
一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在每一P型掺杂层上制作P电极；步骤5：在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片；步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；步骤7：在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板；步骤8：将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P...
【技术特征摘要】
1.一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤 步骤I :在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层； 步骤2 :在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元； 步骤3 :在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面； 步骤4 :在每一 P型掺杂层上制作P电极； 步骤5 :在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片； 步骤6 :在一下衬底上生长一层绝缘层； 步骤7 :在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板； 步骤8 :将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P电极通过金属层电连接，完成制备。2.如权利要求I所述的制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，其中所述LED芯片上衬底的材料为蓝宝石。3.如权利要求I所述的制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，其中所述下衬底的材料为硅片、...
【专利技术属性】
技术研发人员：田婷，詹腾，张逸韵，郭金霞，李璟，伊晓燕，刘志强，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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