具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，所述制作方法是首先提供一蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，然后在该发光外延层的P-pad区蚀刻出具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽，接着在该凹槽的表面形成介质型DBR以作为电流阻挡层，且使所述电流阻挡层形成为具有波浪形侧壁及平整底面的凹陷结构；然后在发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层以使外露出该凹陷结构与N区；最后在凹陷结构上制作出P-pad，在N区上制作出N-pad，以此制作出的LED芯片可以解决现有技术中电流阻挡层与高反光电极之间的粘附性弱，易脱落、以及LED芯片的P电极吸光、电流利用率低等问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED芯片及其制作方法，特别是涉及一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED芯片的设计及制造中，在LED芯片中的P_pad正下面直接加入电流阻挡层(CBL, current blocking layer)可以将原本由P_pad流入P-GaN层的电流截断,使电流全部先流入透明导电层(TCL, Transparent contact layer),然后再通过透明导电层流入该透明导电层正下方的P-GaN层；当不加电流阻挡层时，电流一部分先由P-pad流入透明导电 层再流入透明导电层正下方的P-GaN层，一部分直接流入P-pad正下方的P-GaN层和量子阱发光，P-pad正下方的量子阱发出的光基本上会被P电极挡住，这部分光会被反射或者被吸收，而被反射的部分在芯片内部经过多次反射后也有相当大的一部分会被吸收，最后能射出芯片的少之又少，不加电流阻挡层导致有效发光区的电流密度减少，从而降低了芯片的亮度，而加入电流阻挡层后，直接流入P-pad正下方的P-GaN层的电流被截断，电流全部直接通过透明导电层扩散至有效发光区，从而提高了有效发光区的电流密度，提高了电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；2)于所述发光外延层上分别定义出P？pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体将所述P？pad区蚀刻成具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽；3)于所述凹槽的表面蒸镀出一介质型DBR，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有平整底面及波浪纹侧壁的凹陷结构；4)于所述发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述凹陷结构及N区外露于所述透明导电层；以及5)于所述凹陷结构上制作出P？pad，以及于所述N区上...

【技术特征摘要】
1.一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤 1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层； 2)于所述发光外延层上分别定义出P-pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体将所述P-pad区蚀刻成具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽； 3)于所述凹槽的表面蒸镀出一介质型DBR，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有平整底面及波浪纹侧壁的凹陷结构； 4)于所述发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述凹陷结构及N区外露于所述透明导电层；以及 5)于所述凹陷结构上制作出P-pad，以及于所述N区上制作出N-pad。2.根据权利要求I所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于于所述步骤3)中，所述介质型DBR为至少两种透明绝缘性薄膜交替层叠的组合结构。3.根据权利要求2所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于所述透明绝缘性薄膜为TiO2材料以及SiO2材料。4.根据权利要求3所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于所述交替层叠的组合结构的顶层和底层均为TiO2材料。5.根据权利要求I所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇杰，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：