【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:提供一衬底,在所述衬底上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层;在所述P型GaN层表面形成ITO透明导电层;将所述ITO透明导电层与后续将要形成的N电极的垂直投影相对应的区域蚀刻掉,在所述ITO透明导电层中得到一暴露出所述P型GaN层的开口;进一步在所述ITO透明导电层表面形成P电极层,所述P电极层填充进所述开口并与所述开口暴露出的P型GaN层接触,所述P电极层与所述开口暴露出的P型GaN层的接触区域作为电流阻挡结构;在所述P电极层表面键合一基板;依次去除所述衬底及所述非故意掺杂GaN层,并形成自上而下贯穿所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层的切割道,得到MESA台面;在所述N型GaN层表面形成N电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:童玲,张宇,吕孟岩,李起鸣,
申请(专利权)人:映瑞光电科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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