过电流检测芯片、过电流调校电路及过电流检测调校方法技术

技术编号:12627694 阅读:120 留言:0更新日期:2016-01-01 03:18
通过一第一电阻提供一对应于一仿真负载之一负载仿真信号至一过电流检测芯片的一第一脚位,及通过一第二电阻提供一检测信号至该过电流检测芯片的一第二脚位;该过电流检测芯片通过一双向脚位从一校正治具模块接收一组调校信号以控制该检测信号;该过电流检测芯片的一比较器比较该负载仿真信号与该检测信号以产生一保护点通知信号,并通过该双向脚位将该保护点通知信号传送至该校正治具模块;及当该保护点通知信号的值转态,该校正治具模块通过该双向脚位传送一储存通知信号通知该过电流检测芯片储存该组调校信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种过电流检测芯片,尤指一种采用校正治具模块(calibrat1ntool module)执行过电流检测芯片的出厂前调校程序的过电流检测芯片。
技术介绍
过电流检测芯片(over-current detect1n chip)安装于系统(如工业设施、通信设备、家用电子或车用电子)的电源中的芯片,用以检测电源的负载电流是否过大,并于负载电流过大时产生通知信号,通知电源启动保护程序(例如紧急关机)以避免毁损。过电流检测芯片于出厂前,需经过调校程序,以求得最大可允许的负载电流值,作为日后判断负载电流是否过大的判断门坎值。图1是现有技术中用以调校过电流检测芯片100的调校电路示意图。为执行上述的出厂前调校程序,需在生产线以人工调校每颗要出厂的过电流检测芯片,其调校程序:于过电流检测芯片100的第一脚位110外挂仿真负载199以仿真将来实际应用的最高工作负载,仿真电源Vdd与仿真负载199之间通过工作电阻R产生负载电流Iwd(负载电流Iwd于第一脚位110处产生一分压Vwd);又,于过电流检测芯片100的第二脚位120,以电流源188提供参考电流Itest (并因此于第二脚位120处产生一分压Vtest),并以人工调整可变电阻Rtest以调整第二脚位120处的分压Vtest ;直到过电流检测芯片100中,用以比较分压Vtest与分压Vlciad的比较单元160的输出端,因第二脚位120的分压Vtast高于第一脚位110的分压Vlciad而产生转态(根据图1,其转态与否可于过电流检测芯片100的第三脚位130测量得知),此时求得的分压Vtast值遂被固定于过电流检测芯片100中,作为日后判断负载电流Ilciad是否过大的判断门坎值。然而,上述调校程序不仅耗费生产线的人力资源,其调校速度与准确度亦不理想,故本领域需一解决方案,以更佳地执行过电流检测芯片出厂前的调校程序。
技术实现思路
本专利技术一实施例公开一种电源的过电流检测芯片,包含一第一脚位,一第二脚位,一比较单元,一第三脚位,一检测信号调整单元及一储存单元。该第一脚位,用以接收一负载仿真信号。该第二脚位,用以接收一检测信号。该比较单元,用以比较该负载仿真信号及该检测信号以输出一保护点通知信号,包含一第一输入端,耦接至该第一脚位,用以接收该负载仿真信号;一第二输入端,耦接至该第二脚位,用以接收该检测信号;及一输出端,用以输出该保护点通知信号。该第三脚位,耦接至该输出端,用以当该过电流检测芯片于一调校模式且一校正治具模块于一接收模式时,传送该保护点通知信号至该校正治具模块;及当该过电流检测芯片于该调校模式且该校正治具模块于一发送模式时,从该校正治具模块接收一组调校信号或一储存通知信号。该检测信号调整单元,耦接于该第二输入端及该第三脚位,用以根据该组调校信号调整该检测信号。该储存单元,耦接于该检测信号调整单元,用以当该过电流检测芯片于该调校模式,且该第三脚位接收到该储存通知信号时,储存该组调校信号,以使该电流检测芯片于一操作模式时,根据储存于该储存单元的该组调校信号控制该检测信号调整单元。本专利技术另一实施例公开一种电源的过电流调校电路,包含一第一电阻,一第二电阻及一过电流检测芯片。该第一电阻,其第一端耦接至一电压供应端,第二端耦接至一仿真负载。该第二电阻,其第一端耦接至该电压供应端。该过电流检测芯片,包含一第一脚位,一第二脚位,一比较单元,一第三脚位,一检测信号调整单元及一储存单元。该第一脚位,耦接于该第一电阻的第二端,用以接收一负载仿真信号。该第二脚位,耦接于该第二电阻的第二端,用以接收一检测信号。该比较单元,用以比较该负载仿真信号及该检测信号以输出一保护点通知信号,包含一第一输入端,耦接至该第一脚位,用以接收该负载仿真信号;一第二输入端,耦接至该第二脚位,用以接收该检测信号;及一输出端,用以输出该保护点通知信号。该第三脚位,耦接至该输出端,用以当该电流检测芯片于一调校模式且一校正治具模块于一接收模式时,传送该保护点通知信号至该校正治具模块;及当该电流检测芯片于该调校模式且该校正治具模块于一发送模式时,从该校正治具模块接收一组调校信号或一储存通知信号。该检测信号调整单元,耦接于该第二输入端及该第三脚位,用以根据该组调校信号调整该检测信号;及该储存单元,耦接于该检测信号调整单元,用以当该电流检测芯片于该调校模式,且该第三脚位接收到该储存通知信号时,储存该组调校信号,以使该电流检测芯片于一操作模式时,根据储存于该储存单元的该组调校信号控制该检测信号调整单元。本专利技术另一实施例公开一种电源的过电流检测调校方法,包含提供一过电流检测芯片;于该过电流检测芯片的一调校模式中设定一负载仿真信号;该过电流检测芯片比较该负载仿真信号及一检测信号,以输出一保护点通知信号至一校正治具模块;该校正治具模块于该保护点通知信号尚未转态时,通过该过电流检测芯片的一双向脚位传送一组调校信号至该过电流检测芯片;该过电流检测芯片根据该组调校信号调整该过电流检测芯片的一检测信号调整单元,以调整该检测信号;当该过电流检测芯片于该调校模式中输出的该保护点通知信号转态时,该校正治具模块通过该双向脚位传送一储存通知信号至该过电流检测芯片,以控制该过电流检测芯片储存该组调校信号于该过电流检测芯片的一储存单元中;及该过电流检测芯片根据储存于该储存单元的该组调校信号于一操作模式中控制该检测信号调整单元。【附图说明】图1是现有技术中用以调校过电流检测芯片的调校电路示意图。图2是本专利技术实施例中电源的过电流检测芯片的示意图。图3是本专利技术实施例中过电流检测芯片的过电流调校电路的示意图。图4是本专利技术实施例中用以调校过电流检测芯片的方法流程图。图5是本专利技术另一实施例中电源的过电流检测芯片的示意图。符号说明Vdd模拟电源100,200过电流检测芯片110、210 第一脚位120、220 第二脚位130,230 第三脚位199、399 仿真负载R工作电阻Rtest可变电阻VWd、Vtest 分压Iwd负载电流Itest参考电流160>260 比较单元188、588 电流源Rl第一电阻R2第二电阻2601第一输入端2602第二输入端2603 输出端Vs电压供应端Slciad负载仿真信号Stest检测信号Scall调校信号S_p保护点通知信号Sstore储存通知信号Scontrol 控制信号250储存单元It 电流值CTM校正治具模块CTMl收发脚位240检测信号调整单元300过电流调当前第1页1 2 3 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电源供应器的过电流检测芯片,包含:一第一脚位,用以接收一负载仿真信号;一第二脚位,用以接收一检测信号;一比较单元,用以比较该负载仿真信号及该检测信号以输出一保护点通知信号,包含:一第一输入端,耦接至该第一脚位,用以接收该负载仿真信号;一第二输入端,耦接至该第二脚位,用以接收该检测信号;及一输出端,用以输出该保护点通知信号;一第三脚位,耦接至该输出端,用以:当该过电流检测芯片于一调校模式且一校正治具模块于一接收模式时,传送该保护点通知信号至该校正治具模块;及当该过电流检测芯片于该调校模式且该校正治具模块于一发送模式时,从该校正治具模块接收一组调校信号或一储存通知信号;一检测信号调整单元,耦接于该第二输入端及该第三脚位,用以根据该组调校信号调整该检测信号;及一储存单元,耦接于该检测信号调整单元,用以当该过电流检测芯片于该调校模式,且该第三脚位接收到该储存通知信号时,储存该组调校信号,以使该电流检测芯片于一操作模式时,根据储存于该储存单元的该组调校信号控制该检测信号调整单元。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:刘建成林恺郑健铭江谢伯州
申请(专利权)人:伟诠电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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