【技术实现步骤摘要】
一种单芯片电流检测型功率器件
本专利技术涉及一种单芯片电流检测型功率器件,属于半导体器件领域。
技术介绍
传统的电流检测型功率器件单颗芯片上,除主功率器件(MainFET)外,最多集成一颗电流检测器件(SensingFET)。如果要实现多颗电流检测器件并联使用的话,需要采用多芯片封装的技术,但是采用多芯片封装技术和分离器件外部集成技术的成本高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,对于“使用电流检测型功率器件改善开关电源转化器效率的方法”的专利来说,虽然技术上可以实现,但是采用多芯片封装技术和分离器件外部集成技术的成本要远高于采用芯片集成技术的成本,提供一种在单芯片上即可实现一颗主功率器件和数颗电流检测器件并联的结构,从而大幅简化了电路结构,降低了制造成本的单芯片电流检测型功率器件。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种单芯片电流检测型功率器件,包括,集成在一个芯片上的一个主功率器件和至少一个电流检测器件;所述主功率器件与至少一个电流检测器件并联,所述主功率器件漏极与至少一个电流检测器件漏极相连接,作为共同输入端;所述主功率器件还包括栅极控制端和源级输出端,所述每个电流检测器件分别具有各自的栅极控制端和源级输出端。本专利技术的有益效果是:本专利技术所述单芯片电流检测型功率器件,实现了在单芯片上即可实现一颗主功率器件和数颗电流检测器件并联的结构,从而大幅简化了电路结构,降低了制造成本,使得“使用电流检测型功率器件改善开关电源转化器效率的方法”专利更容易实现。在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做如下改进。进一步,所述每个电流检测器件的导通电 ...
【技术保护点】
一种单芯片电流检测型功率器件,其特征在于,包括,集成在一个芯片上的一个主功率器件和至少一个电流检测器件;所述主功率器件与至少一个电流检测器件并联,所述主功率器件漏极与至少一个电流检测器件漏极相连接,作为共同输入端;所述主功率器件还包括栅极控制端和源级输出端,所述每个电流检测器件分别具有各自的栅极控制端和源级输出端。
【技术特征摘要】
1.一种单芯片电流检测型功率器件,其特征在于,包括,集成在一个芯片上的一个主功率器件和至少一个电流检测器件;所述电流检测型功率器件的版图,将一颗主功率器件和数颗电流检测器件并联集成在同一芯片上,他...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴宗宪,陈彦豪,张子敏,
申请(专利权)人:吴宗宪,陈彦豪,张子敏,
类型:发明
国别省市:
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