【技术实现步骤摘要】
一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片
本专利技术属于集成电路设计领域,具体是指一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及相应的集成电路芯片。
技术介绍
电阻的分压功能在模拟电路中应用广泛,一些电路对电压、电流精度要求很高,达到±10%以上。而电阻在采用集成电路工艺制造的过程中受到工艺参数波动的影响,精度常在±20%以下,严重的影响了电阻的电性能。为了消除电阻偏差给电路电性能参数带来的影响,集成芯片中采用金属熔丝与电阻网络并联的方法调整电阻值,当金属熔丝并联在电阻两端时,电阻被金属熔丝短路,电阻网络的电阻值不包含该段电阻,当采用激光熔断该金属熔丝时,该段电阻加入电阻网络,调整电阻网络总阻值。根据激光修调电阻熔丝的工艺特点,需要精心选择熔丝的金属材料,设计熔丝几何形状与大小,确保激光修调工艺可以有效熔断金属熔丝。熔丝金属汽化熔断以后还会产生金属溅射与残留,导致芯片出现可靠性问题。因此必须仔细选择各层材料,设计版图布局,以确保金属残留不会造成电路短路或对周边电路的性能产生影响。若集成电路版图设计不合理,在进行激光修调时,可能会因为熔丝无法熔断或者烧熔过度而 ...
【技术保护点】
一种带激光修调工艺的集成电路版图结构,包括衬底(1)以及设置在衬底(1)上的第一金属层,其特征在于:所述第一金属层(4)上设置可激光修调的熔丝图形,?第一金属层与衬底(1)之间增设阱区(2),所述阱区(2)嵌入衬底(1)内,该阱区(2)做浮空处理,不接任何电位。
【技术特征摘要】
1.一种带激光修调工艺的集成电路版图结构,包括衬底(I)以及设置在衬底(I)上的第一金属层,其特征在于:所述第一金属层(4)上设置可激光修调的熔丝图形,第一金属层与衬底(I)之间增设阱区(2),所述阱区(2)嵌入衬底(I)内,该阱区(2)做浮空处理,不接任何电位。2.根据权利要求1所述的带激光修调工艺的集成电路版图结构,其特征在于:还包括设置在阱区(2)与第一金属层之间的硅化物阻止区SAB (3)。3.根据权利要求1所述的带激光修调工艺的模拟集成电路版图结构,其特征在于:与第一金属层相邻上方或下方还设有第二金属层(5),第二金属层(5)及第一金属层(4)电性连接,第二金属层(5)设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。4.根据权利要求2所述的带激光修调工艺的集成电路版图结构,其特征在于:还包括嵌在衬底(I)上的掺杂区(6),所述掺杂区...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈唯一,熊力嘉,
申请(专利权)人:深圳市德赛微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。