具有粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括：蓝宝石衬底；形成于蓝宝石衬底的上表面的发光外延层，该发光外延层的P-pad区上具有凹槽，且凹槽具有波浪纹侧壁及平整底面，该发光外延层的N区设置有N-pad；顺应该凹槽形状的且为Al2O3材料的电流阻挡层；顺应该电流阻挡层结构的漫反射型反射层，该漫反射型反射层上设置有P-pad；以及形成于该发光外延层及漫反射型反射层上的透明导电层。本发明专利技术还提供一种可以制作该高效反光P电极高粘附性电流阻挡结构的LED芯片的制作方法，以解决现有技术中电流阻挡层与高反光电极之间的粘附性弱，易脱落、以及LED芯片的P电极吸光、电流利用率低等问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED芯片及其制作方法，特别是涉及一种高效反光P电极高粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED芯片的设计及制造中，在LED芯片中的P_pad正下面直接加入电流阻挡层(CBL, current blocking layer)可以将原本由P_pad流入P-GaN层的电流截断,使电流全部先流入透明导电层(TCL, Transparent contact layer),然后再通过透明导电层流入该透明导电层正下方的P-GaN层；当不加电流阻挡层时，电流一部分先由P-pad流入透明导电层再流入透明导电层正下方的P-GaN层，一部分直接流入P-pad正下方的P-GaN层和量子阱发光，P-pad正下方的量子阱发出的光基本上会被P-pad挡住，这部分光会被反射或者被 吸收，而被反射的部分在芯片内部经过多次反射后也有相当大的一部分会被吸收，最后能射出芯片的少之又少，不加电流阻挡层导致有效发光区的电流密度减少，从而降低了芯片的亮度，而加入电流阻挡层后，直接流入P-pad正下方的P-GaN层的电流被截断，电流全部直接通过透明导电层扩散至有效发光区，从而提高了有效发光区的电流密本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成一发光外延层；2)于所述发光外延层上分别定义出P？pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体在所述P？pad区蚀刻出具有波浪纹侧壁及平整底面的凹槽；3)于所述凹槽的表面蒸镀一层Al2O3材料，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第一层凹陷结构；4)于所述电流阻挡层的表面蒸镀一层顺应该第一层凹陷结构的漫反射型反射层，以使所述漫反射型反射层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第二层凹陷结构；5)于所述发光外延层及...

【技术特征摘要】
1.一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤 1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成一发光外延层； 2)于所述发光外延层上分别定义出P-pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体在所述P-pad区蚀刻出具有波浪纹侧壁及平整底面的凹槽； 3)于所述凹槽的表面蒸镀一层Al2O3材料，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第一层凹陷结构； 4)于所述电流阻挡层的表面蒸镀一层顺应该第一层凹陷结构的漫反射型反射层，以使所述漫反射型反射层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第二层凹陷结构； 5)于所述发光外延层及漫反射型反射层上形成一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述第二层凹陷结构以及N区外露出所述透明导电层；以及 6)于所述第二层凹陷结构上制作出P-pad，以及于所述N区上制作出N-pad。2.根据权利要求I所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于所述漫反射型反射层为单层的漫反射型反射层结构或者多层的复合式漫反射型反射层结构。3.根据权利要求I所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于所述漫反射型反射层为单质金属反射层或合金反射层。4.根据权利要求I所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇杰，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：