一种CSP LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种CSP LED芯片及其制作方法，所述制作方法包括步骤：步骤1），采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2），于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。本发明专利技术通过对封装胶体制作图形结构，使光产生更多折射出光，从而有效提升CSP芯片出光功效；另外，本发明专利技术技术简单易懂，步骤简单，适合量产，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。

A CSP LED chip and its manufacturing method

The invention provides a CSP LED chip and a manufacturing method thereof. The preparation method comprises the following steps: Step 1), the packaging colloid mixing fluorescent powder to encapsulate the LED chip, and make the package curing to preset hardness; step 2), with graphics package structure colloid surface hardness of the preset production preset. The present invention through the production of graphic structure on the package colloid, the light produces more reflected light, so as to effectively enhance the light efficiency of CSP chip; in addition, the technology of the invention is simple and easy to understand, simple procedures, suitable for mass production, and has wide application prospect in the field of semiconductor lighting.

【技术实现步骤摘要】
一种CSPLED芯片及其制作方法
本专利技术涉及一种LED芯片的制作方法，特别是涉及一种CSPLED芯片及其制作方法。
技术介绍
CSP的全称是ChipScalePackage，也就是芯片级封装器件。CSP是最新一代的内存芯片封装技术，其技术性主要体现为让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，与理想情况的1:1相当接近。相对LED产业而言，CSP封装是基于倒装技术而存在的，CSP器件是指将封装体积与倒装芯片体积控制至相同或封装体积不大于倒装芯片体积的20％，在照明行业，CSP因为体积小，灵活度高，应用范围将越来越广泛。目前CSPLED主要有三种结构类型：第一种结构是采用周围二氧化钛保护再覆荧光膜，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性很好，但是损失了四周的光输出，光效会偏低。第二种结构是采用荧光膜全覆盖，再加透明硅胶固定成型，也是五面出光，光效高，但是光品质稍差。第三种结构是采用硅胶荧光粉压制而成，五面出光，光效高，但是顶部和四周的色温一致性控制较差。这种结构的CSPLED芯片如图1所示，其生产步骤较简单，因此，现有的CSPLED大多数采用这种结构。然而，硅胶荧光粉与空气的接触面存在较大角度的全反射角，光线容易在LED内部被多次反射吸收而不能逃逸发光，大大降低了LED的光效。鉴于以上所述，提供一种可以有效提高出光效率的CSPLED芯片亮度的方法实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种CSPLED芯片及其制作方法，用于解决现有技术中CSPLED芯片出光效率低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种CSPLED芯片的制作方法，所述制作方法包括步骤：步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。作为本专利技术的CSPLED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤1)包括：步骤1-1)，将LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上；步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装。作为本专利技术的CSPLED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤1)中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％。进一步地，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％～90％。作为本专利技术的CSPLED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤2)包括：步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板，将该压板的预设图形面压在封装胶体上，使压板上的预设图形转移至封装胶体上；步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体。优选地，步骤2-1)中，所述预设图形包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形，并通过凸出或凹陷进压板的形式存在于所述压板上。优选地，步骤2-1)中，采用0.5-20公斤的压力压在压板上使压板的预设图形嵌合于封装胶体内，并在1-100℃的温度下进行封装胶体的热固化。优选地，所述压板设置有加热器，使得所述压板的温度范围在1-100℃内可调。本专利技术还提供一种CSPLED芯片，包括：LED芯片；混合有荧光粉的封装胶体，封装于所述LED芯片表面；以及图形结构，形成于所述封装胶体表面。作为本专利技术的CSPLED芯片的一种优选方案，所述LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上。优选地，所述贴膜为包括蓝膜的透明贴膜。作为本专利技术的CSPLED芯片的一种优选方案，所述图形结构包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形的凸出或凹陷结构。如上所述，本专利技术的CSPLED芯片及其制作方法，具有以下有益效果：1)本专利技术通过对封装胶体制作图形结构，使光产生更多折射出光，从而有效提升CSP芯片出光功效；2)本专利技术技术简单易懂，步骤简单，适合量产，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。附图说明图1显示为现有技术中的CSPLED芯片结构示意图。图2～图5显示为本专利技术的CSPLED芯片的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图5显示为本专利技术的CSPLED芯片的最终结构示意图。元件标号说明101贴膜102电极103GaN发光层104蓝宝石衬底105封装胶体106压板107图形结构具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图2～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图2～图5所示，本实施例提供一种CSPLED芯片的制作方法，所述制作方法包括步骤：如图2～图3所示，首先进行步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体105对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体105固化至预设硬度。作为示例，所述LED芯片包括蓝宝石衬底104、GaN发光层103以及电极102。作为示例，步骤1)包括：如图2所示，首先进行步骤1-1)，将LED芯片制作有电极102的一面附着于一贴膜101上。所述贴膜101为透明贴膜101，包括蓝膜等材料。如图3所示，然后进行步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体105对LED芯片进行封装。作为示例，步骤1)中，所述封装胶体105包括硅胶，所述预设硬度选择为不小于封装胶体105完全固化硬度的70％。在本实施例中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体105完全固化硬度的70％～90％，优选为80％。该固化硬度的封装胶体105可有利于后续压板106的压印工艺进行，大大提高压印效率及压印质量。如图4～图5所示，然后进行步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体105表面制作预设的图形结构107。作为示例，步骤2)包括：步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板106，将该压板106的预设图形面压在封装胶体105上，使压板106上的预设图形转移至封装胶体105上。作为示例，步骤2-1)中，所述预设图形包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形，并通过凸出或凹陷进压板106的形式存在于所述压板106上。在本实施例中，采用0.5-20公斤的压力压在压板106上使压板106的预设图形嵌合于封装胶体105内，并在1-100℃的温度下进行封装胶体105的热固化。在本实施例中，所述压板106设置有加热器，使得所述压板106的温度范围在1-100℃内可调。在压印同时对封装胶体105进行加热固化，可以大大提高压印的效率以及压印的质量。步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体105。如图5所示，本实施例还提供一种CSPLED芯片，包括：LED芯片；混合有荧光粉的封装胶体105，封装于所述LED芯片表面；以及图形结构107，形成于所述封装胶体105表面。作为示例，所述LED芯片制作有电极102的一面附着于一贴膜101上。作为示例，所述贴膜101为蓝膜。作为示例，所述图形结构107包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形的凸出或凹陷结构。如上所述，本专利技术的CSPLED芯片及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CSP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。

【技术特征摘要】
1.一种CSPLED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。2.根据权利要求1所述的CSPLED芯片的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：步骤1-1)，将LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上；步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装。3.根据权利要求1所述的CSPLED芯片的制作方法，其特征在于：步骤1)中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％。4.根据权利要求3所述的CSPLED芯片的制作方法，其特征在于：所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％～90％。5.根据权利要求1所述的CSPLED芯片的制作方法，其特征在于：步骤2)包括：步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板，将该压板的预设图形面压在封装胶体上，使压板上的预设图形转移至封装胶体上；步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，常文斌，林宇杰，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31