【技术实现步骤摘要】
一种在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法
本专利技术属于半导体照明领域,涉及一种倒装LED芯片的封装方法,特别是涉及一种在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源,具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃,其应用领域正在迅速扩大,正带动传统照明、显示等行业的升级换代,其经济效益和社会效益巨大。正因如此,半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一,也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管LED是由如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下,节约能源是我们未来面临的重要的问题,在照明领域,LED发光产品的应用正吸引着世人的目光,LED作为一种新型的绿 ...
【技术保护点】
一种在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法,其特征在于,包括步骤:步骤1),提供一具有生长衬底的LED芯片;步骤2),提供一封装基板,将所述LED芯片通过倒装工艺固定于所述封装基板;步骤3),剥离去除所述LED芯片上的生长衬底;步骤4),采用封装材料封装所述LED芯片。
【技术特征摘要】
1.一种在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法,其特征在于,包括步骤:步骤1),提供一具有生长衬底的LED芯片;步骤2),提供一封装基板,将所述LED芯片通过倒装工艺固定于所述封装基板;步骤3),剥离去除所述LED芯片上的生长衬底;步骤4),采用封装材料封装所述LED芯片。2.根据权利要求1所述的在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法,其特征在于:所述生长衬底包括蓝宝石衬底、硅衬底以及碳化硅衬底中的一种。3.根据权利要求1所述的在封装过程中提升倒装LED芯片性能的方法,其特征在于:步骤2)包括:步骤2-1),提供一封装基板,于所述封装基板的导电金属上制作焊接材料;步骤2-2),将所述LED芯片倒装放置于所述封装基板上,并使得所述LED芯片的电极与焊接材料接触;步骤2-3),于预设温度下使焊接材料融化,以使LED芯片的电极、焊接材料以及封装基板上的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨杰,常文兵,林宇杰,
申请(专利权)人:上海博恩世通光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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