【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路领域，具体而言，涉及一种芯片的电流检测电路。
技术介绍
在电子电路中，为了避免因为过流而使芯片损坏，往往需要对芯片的工作电流进行检测。传统芯片的电流检测电路如图I所示，在图I中，NMOS管Mnp为芯片中的输出器件，为输出负载提供电流或电压，NMOS管Mnp和Mns的栅电压由栅极驱动电路提供。在电路工作过程中，Mns检测流过Mnp的电流，由于Mnp和Mns的Vgs电压相等，所以
【技术保护点】
一种芯片的电流检测电路，其特征在于，包括：栅极驱动电路，用于输出栅极驱动电压；第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述栅极驱动电路连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接；第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一NMOS管的漏极和电源电压连接；第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接；比较器，所述比较器的第一输入端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述比较器的第二输入端与所述第二电阻的第二端连接；恒流源，所述恒流源的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述恒流源的第二输入端接地；以及调整器件，所述调整器件的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述调整器件的第二端与所述第二电阻连接，所述调整器件的第三端与所述第一NMOS管的漏极和所述电源电压连接，用于根据所述第一NMOS管所处的不同工作区域进行调整以使得所述第一NMOS管处在不同工作区域时芯片的过流阈值相等，其中，所述不同区域包括饱和区和线性区。
【技术特征摘要】
1.一种芯片的电流检测电路，其特征在于，包括栅极驱动电路，用于输出栅极驱动电压；第一 NMOS管，所述第一 NMOS管的栅极与所述栅极驱动电路连接；第二 NMOS管，所述第二 NMOS管的栅极与所述第一 NMOS管的栅极连接；第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述第二 NMOS管的漏极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一 NMOS管的漏极和电源电压连接；第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第一 NMOS管的漏极连接；比较器，所述比较器的第一输入端与所述第二 NMOS管的漏极连接，所述比较器的第二输入端与所述第二电阻的第二端连接；恒流源，所述恒流源的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述恒流源的第二输入端接地；以及调整器件，所述调整器件的第一端与所述第一 NMOS管的栅极连接，所述调整器件的第二端与所述第二电阻连接，所述调整器件的第三端与所述第一 NMOS管的漏极和所述电源电压连接，用于根据所述第一 NMOS管所处的不同工作区域进行调整以使得所述第一 NMOS管处在不同工作区域时芯片的过流阈值相等，其中，所述不同区域包括饱和区和线性区。2.根据权利要求I所述的电路，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖飞，郑辰光，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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