改善电流传输堵塞的LED芯片结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其包括衬底及位于衬底上方的P电极与N电极；N电极与衬底上方的N型氮化镓层电连接；所述N型氮化镓层内设有改善传输槽，所述改善传输槽在N型氮化镓层内从N型氮化镓层表面向衬底方向延伸，所述N电极填充于改善传输槽内，并覆盖于N型氮化镓层对应的表面。本实用新型专利技术通过位于改善传输槽内的N电极能分担相应的电势线，避免电势线聚集在N电极与N型氮化镓层的结合部，能扩大电势线的接触面积，避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象，同时，能够提高LED芯片的出光效率；结构简单紧凑，与现有加工工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种LED芯片结构，尤其是ー种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，属于LED芯 片的

技术介绍
LED (Lighting Emitting Diode)即发光二极管,是ー种半导体固体发光器件。当前节能环保是全球重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域，功率LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED具有节能、环保、寿命长、结构牢固，响应时间快等特点，可以广泛应用于各种普通照明、背光源、显示、指示和城市夜景等领域。LED光源制造流程分为芯片制备和封装。其中，功率LED芯片一般制备エ艺为首先在衬底上通过MOCVD外延炉制作氮化镓基的外延片，接下来对LED的PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片；然后对毛片进行分选和测试。目前，传统LED芯片中PN中对应的两个电极通过蒸镀形成，当电流同侧双电极的芯片两个电极间传输时芯片容易产生电流堵塞，如图I所示。图I中的曲线表示相应的电势线，当电势线从透明导电层指向N电极与N型氮化镓层的结合部，当电势线聚集很多吋，即容易产生堵塞，从而使得LED芯片产生相应的热量，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓群雄，郭文平，柯志杰，黄慧诗，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：