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本实用新型涉及一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其包括衬底及位于衬底上方的P电极与N电极；N电极与衬底上方的N型氮化镓层电连接；所述N型氮化镓层内设有改善传输槽，所述改善传输槽在N型氮化镓层内从N型氮化镓层表面向衬底方向延伸，所述N电极...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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