N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法，该方法是首先在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，并在发光外延层上制备出透明导电层，然后在透明导电层上低温蒸镀N型导电导热超晶格DBR层，以使该透明导电层与N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触，接着将导电性衬底键合至N型导电导热超晶格DBR层上以形成P电极，最后剥离掉该蓝宝石衬底，在该发光外延层的下表面制备出N电极。该方法制作出的垂直式蓝光LED芯片克服了现有技术中的垂直式LED芯片电极材料难与P-GaN形成欧姆接触、反射镜粘附性弱、高温下反射镜的反射率下降、导电DBR的制备温度过高和使用导电DBR作为高反光P电极的垂直式蓝光LED芯片电压过高等问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蓝光LED芯片及其制作方法，特别是涉及一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法。
技术介绍
目前，常见的蓝光LED芯片分为两种，即横向结构(Lateral)的蓝光LED芯片和垂直结构(Vertical)的蓝光LED芯片，其中，所述平面式蓝光LED其P、N电极在同一侧，P、N电极同侧势必需要蚀刻掉部分量子阱来制备N区，从而浪费了相当大的一部分发光面积，且P、N电极同侧具有电流分布不均匀，散热性差等诸多缺点，而电流分布不均匀进而影响到芯片的电压和亮度，散热性差会造成结温升高，内量子效率下降等问题，影响到芯片的光 效。而垂直式蓝光LED芯片其P、N电极分布在量子阱的两侧，因此不需要蚀刻量子阱，大大提高了芯片发光面积的利用率，电流垂直于芯片均匀分布，且垂直式LED芯片结构中各层都会尽量选用导热性良好的材料，因此垂直式LED芯片的散热性能良好，大大消除了热量积聚带来的结温升高，内量子效率下降。正因为这些独特的优点，垂直式LED芯片成为LED研究的热点。目前常见的垂直式蓝光LED芯片的制作过程中，一般是在本领域技术人员熟知的蓝光发光外延层的表面上直接镀上反射性金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；2)于所述发光外延层上蒸镀一透明导电层；3)采用低温电子束蒸镀及辅助离子源夯实成膜技术在所述透明导电层上制备出N型导电导热超晶格DBR层，并通过高温退火以使所述透明导电层与所述N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触；4)提供一导电性衬底，采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面以形成P电极；5)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底，以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离；以...

【技术特征摘要】
1.一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤 1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层； 2)于所述发光外延层上蒸镀一透明导电层； 3)采用低温电子束蒸镀及辅助离子源夯实成膜技术在所述透明导电层上制备出N型导电导热超晶格DBR层，并通过高温退火以使所述透明导电层与所述N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触； 4)提供一导电性衬底，采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面以形成P电极； 5)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底，以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离；以及 6)于所述发光外延层的下表面制备出N电极。2.根据权利要求I所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于于步骤3)中，制备出的所述N型导电导热超晶格DBR层为第一种透明导电导热薄膜与折射率不同于所述第一种透明导电导热薄膜的第二种透明导电导热薄膜和/或第η种透明导电导热薄膜交替叠合的多层结构。3.根据权利要求2所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于所述第一种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜AlxGahN ；所述第二种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜AlyGai_yN，所述第η种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜AlnGai_nN。4.根据权利要求I所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于于步骤4)中，是通过一键合层将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面的；所述键合层为金属材料、合金材料、非金属导电材料、或者有机导电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇杰，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：